Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (8)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Ekino T$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
1.

Ekino T. 
Tunneling spectra of break junctions involving Nb3Sn [Електронний ресурс] / T. Ekino, A. Sugimoto, Y. Sakai, A. M. Gabovich, J. Akimitsu // Физика низких температур. - 2014. - Т. 40, № 10. - С. 1182-1186. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2014_40_10_10
Попередній перегляд:   Завантажити - 451.705 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Ekino T. 
Scanning-tunneling microscopy/spectroscopy and break-junction tunneling spectroscopy of FeSe1-xTex [Електронний ресурс] / T. Ekino, A. Sugimoto, A. M. Gabovich // Физика низких температур. - 2013. - Т. 39, № 3. - С. 343-353. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2013_39_3_12
The iron-chalcogenide superconductor FeSe1-xTex (<$E0,5~<<~x~<<~1>) was investigated by scanning-tunneling microscopy/spectroscopy (STM/STS) and break-junction techniques. In the STM topography of the samples, randomly distributed Te and Se surface atomic structure patterns correlate well with the bulk composition, demonstrating that nanoscale surface features directly reflect bulk properties. The high-bias STS measurements clarified the gap-like structure at <$Esymbol Ы ~100~-~300> meV, which is consistent with the break-junction data. These highenergy structures were also found in sulfur substituted FeS0,1Te0,9. Possible origin of such spectral peculiarities is discussed. The superconducting gap <$E2 DELTA ~symbol Ы ~3,4~symbol С ~0,2> meV at temperature T = 4,2 K was found in the break junction of FeSe1-xTex with the critical temperature <$E T sub c~symbol Ы~10> K. The corresponding characteristic gap to <$ET sub c> ratio <$E2 DELTA "/" k sub B T sub c ~symbol Ы ~4~symbol С ~0,2> indicates moderate superconducting coupling (<$Ek sub B> is the Boltzmann constant).
Попередній перегляд:   Завантажити - 853.587 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Sugimoto A. 
Atomic structures and nanoscale electronic states on the surface of MgB2 superconductor observed by scanning tunneling microscopy and spectroscopy [Електронний ресурс] / A. Sugimoto, Yu. Yanase, T. Ekino, T. Muranaka, A. M. Gabovich // Фізика низьких температур. - 2019. - Т. 45, Вип. 11. - С. 1423-1433. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2019_45_11_13
Проведено систематичне дослідження нанорозмірних локальних електронних станів на поверхні MgB2 з використанням низькотемпературної скануючої тунельної мікроскопії/спектроскопії (STM/STS). SТМ-топографія показує атомне зображення гексагональної решітки з постійним параметром a' = 0,31 нм, яке ідентифікується в основному як сукупність місць, зайнятих Mg. Проаналізовано залежності SТМ-вимірювань від температури в припущенні існування двох енергетичних щілин. Одержано оцінку амплітуд щілин <$E DELTA sub fit ~symbol Ы~10,2> та 4,8 меВ при T = 4,9 К. Відскановані карти провідності (dI / dV) площею <$E 4~times~2~roman нм sup 2> показали однорідний розподіл щілин, пов'язаних з <$E pi>-зоною. Крім того, спостерігалися піки провідності при напрузі нульового зсуву через певні лінії на відстані близько 0,8 нм, що набагато менше, ніж довжина когерентності <$E xi sub ab> ~ 40 нм MgB2. Форма піків нульового зсуву виглядає так, як у випадку відображення Андрєєва - Сент-Джеймса на контакті голка-зразок.Проведено систематичне дослідження нанорозмірних локальних електронних станів на поверхні MgB2 з використанням низькотемпературної скануючої тунельної мікроскопії/спектроскопії (STM/STS). SТМ-топографія показує атомне зображення гексагональної решітки з постійним параметром a' = 0,31 нм, яке ідентифікується в основному як сукупність місць, зайнятих Mg. Проаналізовано залежності SТМ-вимірювань від температури в припущенні існування двох енергетичних щілин. Одержано оцінку амплітуд щілин <$E DELTA sub fit ~symbol Ы~10,2> та 4,8 меВ при T = 4,9 К. Відскановані карти провідності (dI / dV) площею <$E 4~times~2~roman нм sup 2> показали однорідний розподіл щілин, пов'язаних з <$E pi>-зоною. Крім того, спостерігалися піки провідності при напрузі нульового зсуву через певні лінії на відстані близько 0,8 нм, що набагато менше, ніж довжина когерентності <$E xi sub ab> ~ 40 нм MgB2. Форма піків нульового зсуву виглядає так, як у випадку відображення Андрєєва - Сент-Джеймса на контакті голка-зразок.
Попередній перегляд:   Завантажити - 5.66 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Ekino T. 
Break-junction tunneling spectra of Bi2212 superconducting ceramics: Influence of inhomogeneous d-wave-Cooper-pairing and charge-density-wave order parameters [Електронний ресурс] / T. Ekino, A. M. Gabovich, M. S. Li, H. Szymczak, A. I. Voitenko // Фізика низьких температур. - 2020. - Т. 46, Вип. 4. - С. 481-496. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2020_46_4_17
Проведено вимірювання тунельних вольтамперних характеристик (ВАХ) розломних контактів, виготовлених із кристалів <$E roman {Bi sub 2 Sr sub 2 CaCu sub 2 O sub {8+ delta}}> кераміки. Показано, що отримані ВАХ мають V-подібну внутрішню щілинну область подібну до тих, які характерні для ВАХ тунельних переходів між d-хвильовими надпровідниками. Отримані ВАХ мають різні форми для різних переходів, але всі вони виявляють розмиті структури типу горбок-ямка поза межами внутрішньої щілинної області. Тунельний струм в ab площині розломних контактів розраховано в моделі неоднорідного d-хвильового надпровідника з частковою діелектризацією поверхні Фермі хвилями зарядової густини (ХЗГ). Проведено усереднення тунельного струму за статистичними розподілами надпровідного та ХЗГ параметрів порядку. Теоретичні результати якісно відтворюють поведінку експериментальних кривих. Зроблено висновок, що спрямованість тунелювання та статистичні розподіли обох параметрів порядку є вирішальними факторами, відповідальними за спостережувані форми ВАХ для розломних контактів, виготовлених із високотемпературних оксидів.Проведено вимірювання тунельних вольтамперних характеристик (ВАХ) розломних контактів, виготовлених із кристалів <$E roman {Bi sub 2 Sr sub 2 CaCu sub 2 O sub {8+ delta}}> кераміки. Показано, що отримані ВАХ мають V-подібну внутрішню щілинну область подібну до тих, які характерні для ВАХ тунельних переходів між d-хвильовими надпровідниками. Отримані ВАХ мають різні форми для різних переходів, але всі вони виявляють розмиті структури типу горбок-ямка поза межами внутрішньої щілинної області. Тунельний струм в ab площині розломних контактів розраховано в моделі неоднорідного d-хвильового надпровідника з частковою діелектризацією поверхні Фермі хвилями зарядової густини (ХЗГ). Проведено усереднення тунельного струму за статистичними розподілами надпровідного та ХЗГ параметрів порядку. Теоретичні результати якісно відтворюють поведінку експериментальних кривих. Зроблено висновок, що спрямованість тунелювання та статистичні розподіли обох параметрів порядку є вирішальними факторами, відповідальними за спостережувані форми ВАХ для розломних контактів, виготовлених із високотемпературних оксидів.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.46 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського